
| Производитель | NXP Semiconductors |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Ir - обратный ток | 3 uA |
|---|---|
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Vf - прямое напряжение | 900 mV |
| Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 4.1 V |
| Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 90 Ohms |
| Артикул | 00-00056032 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Допустимое отклонение напряжения | 5 % |
| Зенеровский ток | 3 uA |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C ... + 200 С |
| Температурный коэффициент напряжения | - 2.5 mV/K |
| Тип корпуса | DO-35 |