Prom – найбільший маркетплейс України

2SC5480

Код: 00-00030776
В наличии
от 105 ₴/мес
1 050 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97%
Оплатить частями

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Изображение для Оплатить частями
    Без переплат*, от 105 ₴/мес.
    Подробнее
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
2SC5480 - фото 1 - id-p3077179104

Характеристики и описание

Основные

Производитель
HIT

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00030776
Корпус транзистораTO-3PFM
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)1500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)14 A
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)50 W
Наименование производителя2SC5480
ПолярностьNPN
Предельная температура PN-перехода (Tj)150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe)4
Тип материалаSi
2SC5480 Транзистор биполярный

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

DIT195N08 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 85В, 148А, Idm: 850А, 300Вт, TO220AB
DIT195N08 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 85В, 148А, Idm: 850А, 300Вт, TO220AB
471.25 ₴
IXYH50N120C3D1 IGBT 1200V 90A 625W
IXYH50N120C3D1 IGBT 1200V 90A 625W
1 827.50 ₴
GT50N322A IGBT 1000 V 50 A 156 W
GT50N322A IGBT 1000 V 50 A 156 W
1 171.25 ₴
Транзистор 2SA733
Транзистор 2SA733
10 ₴
17 ₴
STGW50NC60W IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 55 А: Uкэ.нас: 1.9 В
STGW50NC60W IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 55 А: Uкэ.нас: 1.9 В
381.25 ₴
Транзистор 2SB647
Транзистор 2SB647
10 ₴
21 ₴
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
917.50 ₴
STP11NM60FD Транзистор: N-MOSFET: FDmesh™: полевой: 600В: 7А: 160Вт
STP11NM60FD Транзистор: N-MOSFET: FDmesh™: полевой: 600В: 7А: 160Вт
487.50 ₴
Транзистори 2Т606А болт 2шт
Транзистори 2Т606А болт 2шт
125 ₴
IKW40N120T2FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IKW40N120T2FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
607.50 ₴
FGL40N120ANDTU IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
FGL40N120ANDTU IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
1 946.25 ₴
Транзистор 2N4401
Транзистор 2N4401
10 ₴
19 ₴
STP57N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M5, полевой, 650В, 26,5А, Idm: 168А
STP57N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M5, полевой, 650В, 26,5А, Idm: 168А
1 380 ₴
BC856B.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 65 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: Fгран: 100 МГц
BC856B.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 65 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: Fгран: 100 МГц
2.50 ₴