
| Производитель | ST |
|---|
| Состояние | Новое |
|---|
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
|---|---|
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Артикул | 00-00030257 |
| Вес изделия | 4 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 60 ns, 400 ns |
| Время спада | 40 ns, 1100 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | VND5N07-E |
| Технология | Si |
| Тип | Power MOSFET |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET |