Prom – найбільший маркетплейс України

TIP125 Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 60В: 5А:

Код: 00-00032638
В наличии
113.75 ₴
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
TIP125 Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 60В: 5А: - фото 1 - id-p3073087286

Характеристики и описание

Основные

Производитель
STMicroelectronics

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00032638
Вид транзистораДарлингтон
КорпусTO220
Мощность65Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер60В
Полярностьбиполярный
Тип транзистораPNP
Ток коллектора5А
TIP125 Транзистор Дарлингтона
Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 60В: 5А:

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

STGP10NC60KD IGBT транзистор - [TO-220-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк: 10 А: Uкэ.нас: 1.8 В: Диод tвосст: 35 нс: Диод Uпад: 2 В
STGP10NC60KD IGBT транзистор - [TO-220-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк: 10 А: Uкэ.нас: 1.8 В: Диод tвосст: 35 нс: Диод Uпад: 2 В
188.75 ₴
IRG4BC40WPBF 600 В, 40 А
IRG4BC40WPBF 600 В, 40 А
267.50 ₴
IRF2805PBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 175 А, 4.7 мОм
IRF2805PBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 175 А, 4.7 мОм
266.25 ₴
2N6371 Транзистор: NPN: биполярный: 40В: 15А: 117Вт: TO3
2N6371 Транзистор: NPN: биполярный: 40В: 15А: 117Вт: TO3
182.50 ₴
YGW25N120U2 25A 1.2kV
YGW25N120U2 25A 1.2kV
255 ₴
AP30G120ASW 1200V, 30A, N-Ch, IGBT
AP30G120ASW 1200V, 30A, N-Ch, IGBT
145 ₴
STP10N60M2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M2, полевой, 600В, 4,9А, Idm: 30А
STP10N60M2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M2, полевой, 600В, 4,9А, Idm: 30А
97.50 ₴
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO-220]
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO-220]
140 ₴
IPA80R1K0CE МОП-транзистор, N Канал, 5.7 А, 800 В, 0.83 Ом, 10 В, 3 В
IPA80R1K0CE МОП-транзистор, N Канал, 5.7 А, 800 В, 0.83 Ом, 10 В, 3 В
112.50 ₴
STF7N52K3 Тип: N: Uси: 525 В: Iс(25°C): 6.3 А: Rси(вкл): 0.98 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс)
STF7N52K3 Тип: N: Uси: 525 В: Iс(25°C): 6.3 А: Rси(вкл): 0.98 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс)
126.25 ₴
IPD042P03L3GBTMA1 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -70А, 150Вт
IPD042P03L3GBTMA1 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -70А, 150Вт
145 ₴
CRSS043N14N 135V 160A 3.2mΩ@10V,80A 250W 3V@250uA 1PCSNChannel TO-263-2 MOSFETs ROHS
CRSS043N14N 135V 160A 3.2mΩ@10V,80A 250W 3V@250uA 1PCSNChannel TO-263-2 MOSFETs ROHS
163.75 ₴
IPN70R750P7SATMA1 Транзистор 700 V, 6.5 A, 6.7 W, 620 mOhms
IPN70R750P7SATMA1 Транзистор 700 V, 6.5 A, 6.7 W, 620 mOhms
173.75 ₴
IRFS840B MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.8 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFS840B MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.8 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
142.50 ₴