Prom – найбільший маркетплейс України

2SD1996

Код: 00-00030881
В наличии
22.50 ₴
Заказ у продавца — от 400 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
2SD1996 - фото 1 - id-p3069017097

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Panasonic

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00030881
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)0.5 A
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)0.6 W
Наименование производителя2SD1996
ПолярностьNPN
Предельная температура PN-перехода (Tj)150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe)500
Тип материалаSi
2SD1996 Транзистор биполярный

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

MMUN2216LT1G Транзистор: NPN: биполярный: BRT: 50В: 0,1А: 246мВт: 4,7кОм
MMUN2216LT1G Транзистор: NPN: биполярный: BRT: 50В: 0,1А: 246мВт: 4,7кОм
3.75 ₴
NCE4060K 40V 60A 65W 13mΩ@10V,20A 2.5V 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
NCE4060K 40V 60A 65W 13mΩ@10V,20A 2.5V 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
16.25 ₴
IRLMS5703TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 30 В, Rdson макс. при Vg 1: 400мОм @ 4.5В мОм, Rdson макс. при Vg 2: 200мОм @ 10В мОм,
IRLMS5703TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 30 В, Rdson макс. при Vg 1: 400мОм @ 4.5В мОм, Rdson макс. при Vg 2: 200мОм @ 10В мОм,
30 ₴
MJE172G Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 3А, 12.5Вт, TO225
MJE172G Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 3А, 12.5Вт, TO225
38.75 ₴
MMBT918LT1G Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE
MMBT918LT1G Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE
20 ₴
IRLML6244TRPBF 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
IRLML6244TRPBF 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
11.25 ₴
BSH202.215 MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс(25°C): 520 мА: Rси(вкл): 0.9...1.35 Ом: @Uзатв(ном):
BSH202.215 MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс(25°C): 520 мА: Rси(вкл): 0.9...1.35 Ом: @Uзатв(ном):
38.75 ₴
AO3415A-UMW Транзистор P-MOSFET 20В 4А 0.35Вт 34 мОм/4А, 4.5В
AO3415A-UMW Транзистор P-MOSFET 20В 4А 0.35Вт 34 мОм/4А, 4.5В
5 ₴
2N7002T Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 0,073А: 0,2Вт
2N7002T Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 0,073А: 0,2Вт
3.75 ₴
DMG1012TQ-7 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,45А, 0,28Вт, SOT523, ESD
DMG1012TQ-7 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,45А, 0,28Вт, SOT523, ESD
8.75 ₴
FDV303N Транзистор: полевой, МОП n-канальный: 25В: 680мА: 350мВт: SOT23
FDV303N Транзистор: полевой, МОП n-канальный: 25В: 680мА: 350мВт: SOT23
13.75 ₴
2SAR544R Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 2,5А, 500мВт
2SAR544R Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 2,5А, 500мВт
30 ₴
SMBT2222AE6327 Транзистор: NPN: биполярный: 40 В: 600 мА: 330 мВт: SOT23
SMBT2222AE6327 Транзистор: NPN: биполярный: 40 В: 600 мА: 330 мВт: SOT23
5 ₴
IRFZ44NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 49 А: Rси(вкл): 17.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFZ44NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 49 А: Rси(вкл): 17.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
37.50 ₴