Prom – найбільший маркетплейс України

SQ2310ES-T1-GE3 МОП-транзистор RECOMMENDED ALT

Код: 00-00071851
В наличии
21.25 ₴
Заказ у продавца — от 400 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
SQ2310ES-T1-GE3 МОП-транзистор RECOMMENDED ALT - фото 1 - id-p3069015591

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Vishay Intertechnology

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00071851
Заряд затвора4,5нC
КорпусSOT23
МонтажSMD
Напряжение _x000D_ затвор-исток±8В
Напряжение _x000D_ сток-исток20В
Полярностьполевой
Рассеиваемая _x000D_ мощность0,6Вт
Сопротивление в _x000D_ открытом состоянии30мОм
Тип транзистораN-MOSFET
Ток стока3,5А
SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
97% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

BCP56-16.115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 180 МГц, 650 мВт, 1 А, 100 hFE
BCP56-16.115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 180 МГц, 650 мВт, 1 А, 100 hFE
6.25 ₴
IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 1А: 13Вт
IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 1А: 13Вт
30 ₴
BSS139H6327XTSA1 МОП-транзистор, N Канал, 100 мА, 250 В, 7.8 Ом, 10 В, 1.4 В
BSS139H6327XTSA1 МОП-транзистор, N Канал, 100 мА, 250 В, 7.8 Ом, 10 В, 1.4 В
21.25 ₴
KSP42BU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 50 МГц, 625 мВт, 500 мА, 40 hFE
KSP42BU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 50 МГц, 625 мВт, 500 мА, 40 hFE
11.25 ₴
PDTA143ZT.215 Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 100: R1: 4.7 Ом: R2: 47 Ом
PDTA143ZT.215 Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 100: R1: 4.7 Ом: R2: 47 Ом
7.50 ₴
2SC2873 50V 500mW [email protected],2V 2A NPN SOT-89-3
2SC2873 50V 500mW [email protected],2V 2A NPN SOT-89-3
7.50 ₴
AO3414 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 20В: 2,5А: 900мВт
AO3414 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 20В: 2,5А: 900мВт
7.50 ₴
BCM856SH6327 Транзистор: PNP x2: биполярный: 65В: 100мА: 250мВт
BCM856SH6327 Транзистор: PNP x2: биполярный: 65В: 100мА: 250мВт
12.50 ₴
BC848B.215 Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц
BC848B.215 Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц
3.75 ₴
TIP127-JSCJ Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 5А, 65Вт, TO220
TIP127-JSCJ Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 5А, 65Вт, TO220
28.75 ₴
NTR4101PT1G Small Signal MOSFET 20V 3.2A 85 mOhm Single P-Channel
NTR4101PT1G Small Signal MOSFET 20V 3.2A 85 mOhm Single P-Channel
21.25 ₴
L-53P3C Фототранзистор: 940нм: 30В: 30°: Линза: прозрачная, диаметр 5 мм
L-53P3C Фототранзистор: 940нм: 30В: 30°: Линза: прозрачная, диаметр 5 мм
30 ₴
2SC4793 Транзистор: NPN: биполярный: 230В: 1А: 2Вт
2SC4793 Транзистор: NPN: биполярный: 230В: 1А: 2Вт
25 ₴
ZVP3310FTA Полевой транзистор P-канальный 100В 0.075A автомобильного применения 3-Pin SOT-23
ZVP3310FTA Полевой транзистор P-канальный 100В 0.075A автомобильного применения 3-Pin SOT-23
37.50 ₴