Prom – найбільший маркетплейс України

BTA16-800B Симистор тиристор 16А 800В

Код: 100450-16-800
5.0 (3)
290+ купили
В наличии
13.18 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Продавец МегаШара
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
BTA16-800B Симистор тиристор 16А 800В - фото 1 - id-p301820295

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Без бренда
Страна производительКитай

Пользовательские характеристики

Страна регистрацииКитай

BTA16-800B Симистор тиристор 16А 800В

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (3)
  • Вопросы (0)
+2 отзывов у других продавцов
  • 01.08.2026
    Олександр С.
     Куплено на Prom.ua
  • 25.06.2026
    Олексій С.
     Куплено на Prom.ua
  • 01.08.2026
    Андрій Ф.
     Куплено на Prom.ua
Был online: Вчера
МегаШара
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

STW26NM60N MOSFET силовой транзистор: Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.165 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 60 нКл
STW26NM60N MOSFET силовой транзистор: Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.165 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 60 нКл
173.80 ₴
IPD088N06N3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 71Вт
IPD088N06N3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 71Вт
186.30 ₴
JCS50N20WT 200V 50A 50mΩ@10V,25A 277W 4V TO-247-3 MOSFETs
JCS50N20WT 200V 50A 50mΩ@10V,25A 277W 4V TO-247-3 MOSFETs
346.30 ₴
PHP20N06T,127 Транзистор MOSFET N-CH 55V 20.3A
PHP20N06T,127 Транзистор MOSFET N-CH 55V 20.3A
143.80 ₴
FDD390N15ALZTR Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 26 А, 0.0334 Ом
FDD390N15ALZTR Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 26 А, 0.0334 Ом
238.80 ₴
AOTF11N70 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 7,2А, TO220F
AOTF11N70 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 7,2А, TO220F
120 ₴
AO4421 Транзистор: P-MOSFET: полевой: -60В: -5А: 2Вт
AO4421 Транзистор: P-MOSFET: полевой: -60В: -5А: 2Вт
192.50 ₴
NCE65TF099T 650V 38A 89mΩ@10V,19A 322W 3.5V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS
NCE65TF099T 650V 38A 89mΩ@10V,19A 322W 3.5V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS
228.80 ₴
2N3819 PBFREE Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc: 15) 2...20мА
2N3819 PBFREE Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc: 15) 2...20мА
228.80 ₴
SI4114DY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 20В, 20А, Idm: 50А, 5,7Вт
SI4114DY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 20В, 20А, Idm: 50А, 5,7Вт
281.30 ₴
AON6242 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 66А: 83Вт: DFN5x6
AON6242 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 66А: 83Вт: DFN5x6
160 ₴
IR21271SPBF Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны, 10В-20В питание, 500мА пиковый выход, 125Ом выход, SOIC-8
IR21271SPBF Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны, 10В-20В питание, 500мА пиковый выход, 125Ом выход, SOIC-8
341.30 ₴
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
382.50 ₴
AONR66924 N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
AONR66924 N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
137.50 ₴