Prom – найбільший маркетплейс України

TK11A65D транзистор полевой N-Channel 650В 11А TO220F

Код: 005442
5.0 (1)
10+ купили
Готово к отправке
36 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 100 ₴
Продавец Epstik - магазин радиокомпонентов
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA713220010000026009370097255
TK11A65D транзистор полевой N-Channel 650В 11А TO220F - фото 1 - id-p2966511510

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Toshiba
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Тип корпусаTO-220F
Тип полевого транзистораN-Channel

Mosfet транзистор

Маркировка: K11A65D
Корпус: TO-220F

650V N-Channel MOSFET

Технические параметры (Tc = 25°C):

Drain-Source Voltage: 650V
Gate-Source Voltage: ± 30V
Drain Current: 11A
Drain Current - Pulsed: 44 A

(Смотрите даташит в спецификациях)

Похожие товары по характеристикам

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (1)
  • Вопросы (0)
+1 отзывов у других продавцов
  • 14.05.2026
    Олег Б.
     Куплено на Prom.ua
Был online: Сегодня
Epstik - магазин радиокомпонентов
Epstik - магазин радиокомпонентов
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

SKST065N08N 85V 120A 164W 6.5mΩ@10V,50A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs
SKST065N08N 85V 120A 164W 6.5mΩ@10V,50A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs
41.30 ₴
IRF1404PBF MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 162 А, 4 мОм
IRF1404PBF MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 162 А, 4 мОм
80 ₴
NCE60H15A 60V 150A 3.1mΩ@10V,75A 220W 3V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
NCE60H15A 60V 150A 3.1mΩ@10V,75A 220W 3V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
66.30 ₴
BSP315PH6327XTSA1 Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 1.17 А, 0.5 Ом, SOT-223, Surface Mount
BSP315PH6327XTSA1 Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 1.17 А, 0.5 Ом, SOT-223, Surface Mount
70 ₴
MMBFJ211 Транзистор: N-JFET, полевой, 0,225Вт, SOT23, 10мА
MMBFJ211 Транзистор: N-JFET, полевой, 0,225Вт, SOT23, 10мА
42.50 ₴
ZXTP2029FTA Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 1,2Вт, SOT23
ZXTP2029FTA Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 1,2Вт, SOT23
93.80 ₴
IPD50R800CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 5А, 40Вт, CoolMOS
IPD50R800CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 5А, 40Вт, CoolMOS
71.30 ₴
FDD8647L MOSFET транзистор - TO-252-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 42 А: Rси(вкл): 9...13 мОм: при Uзатв(ном.)
FDD8647L MOSFET транзистор - TO-252-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 42 А: Rси(вкл): 9...13 мОм: при Uзатв(ном.)
92.50 ₴
AONR62818 Transistor: N-MOSFET: unipolar: 80V: 41A: 21.5W
AONR62818 Transistor: N-MOSFET: unipolar: 80V: 41A: 21.5W
72.50 ₴
BD682 Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 4А, 40Вт, SOT32
BD682 Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 4А, 40Вт, SOT32
55 ₴
2SD1292
2SD1292
86.30 ₴
AO4294A N-канал, 100 В, 11,5 А (Ta), 3,1 Вт (Ta). Для поверхностного монтажа, 8-SOIC
AO4294A N-канал, 100 В, 11,5 А (Ta), 3,1 Вт (Ta). Для поверхностного монтажа, 8-SOIC
51.30 ₴
IRFB4115PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 11 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
IRFB4115PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 11 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
101.30 ₴
BCR512E6327HTSA1 Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 500мА, 330мВт, SOT23
BCR512E6327HTSA1 Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 500мА, 330мВт, SOT23
32.50 ₴