Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD)

Код: 2100000028078
Готово к отправке
10+ купили
99 
Заказ у продавца — от 200 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Магазины Rozetka, Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA283220010000026006370091050
Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 2 - id-p2956815364

Характеристики и описание

ТипКорпус

RJP30H1 в корпусе TO-252 (D-PAK) — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), специально адаптированный для автоматизированного поверхностного монтажа. Он сочетает в себе мощность высоковольтного ключа и компактность SMD-компонента.

Благодаря монтажу непосредственно на медный полигон платы, этот транзистор обеспечивает минимальную индуктивность соединений, что крайне важно для стабильной работы на высоких частотах в блоках развертки телевизоров и импульсных источниках питания.

Основные сферы применения:

  • Плазменные панели (PDP): Ключевой элемент в компактных модулях Y-Main и X-Main (Sustain boards).

  • Портативные инверторы: Силовые узлы преобразователей напряжения.

  • Системы управления вспышками: Где необходима высокая энергия импульса при малом размере платы.

  • Автомобильная электроника: Специализированные блоки зажигания и управления нагрузкой.

Ключевые преимущества корпуса TO-263 (D2PAK):

  • Отвод тепла через плату: Не требует громоздких отдельных радиаторов (при достаточной площади меди).

  • Устойчивость к вибрациям: Жесткая фиксация на плате по всей плоскости корпуса.

  • Низкая паразитная индуктивность: Улучшает форму сигнала и уменьшает "звон" при переключении.

  • Современный стандарт: Оптимально для плотной компоновки радиоэлектронных модулей.


Технические характеристики
  • Тип устройства: IGBT (N-channel).

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 360 В.

  • Ток коллектора: 30 А (постоянный) / до 120 А (импульсный).

  • Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В.

  • Тип корпуса: TO-263 / D2PAK (SMD).

  • Напряжение насыщения: ~1.4 В – 1.7 В.

  • Скорость переключения: Сверхбыстрая (Ultra High Speed).

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Сервісний центр "Галактика"
Сервісний центр "Галактика"
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор 2SC5339
120 
171 
Транзистор C5586
115 
189 
Транзистор K1419
90 
122 
Транзистор J512
60 
95 
Транзистор NEC J449
55 
92 
Транзистор NEC D1589
40 
67 
Транзистор D1258
45 
58 
Транзистор BC847C
5 
15 
Транзистор D2012
40 
53 
FQP33N10 VBsemi
61 
67.78 
Транзистор TOSHIBA C5855A
130 
192 
Транзистор 2SC5445
210 
254 
Транзистор TOSHIBA 2SC5570
210 
253 
Транзистор NEC D1564
55 
83