Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD)

Код: 2100000028078
Готово к отправке
10+ купили
99 
Заказ у продавца — от 200 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Магазины Rozetka, Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA283220010000026006370091050
Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 2 - id-p2956815364

Характеристики и описание

ТипКорпус

RJP30H1 в корпусе TO-252 (D-PAK) — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), специально адаптированный для автоматизированного поверхностного монтажа. Он сочетает в себе мощность высоковольтного ключа и компактность SMD-компонента.

Благодаря монтажу непосредственно на медный полигон платы, этот транзистор обеспечивает минимальную индуктивность соединений, что крайне важно для стабильной работы на высоких частотах в блоках развертки телевизоров и импульсных источниках питания.

Основные сферы применения:

  • Плазменные панели (PDP): Ключевой элемент в компактных модулях Y-Main и X-Main (Sustain boards).

  • Портативные инверторы: Силовые узлы преобразователей напряжения.

  • Системы управления вспышками: Где необходима высокая энергия импульса при малом размере платы.

  • Автомобильная электроника: Специализированные блоки зажигания и управления нагрузкой.

Ключевые преимущества корпуса TO-263 (D2PAK):

  • Отвод тепла через плату: Не требует громоздких отдельных радиаторов (при достаточной площади меди).

  • Устойчивость к вибрациям: Жесткая фиксация на плате по всей плоскости корпуса.

  • Низкая паразитная индуктивность: Улучшает форму сигнала и уменьшает "звон" при переключении.

  • Современный стандарт: Оптимально для плотной компоновки радиоэлектронных модулей.


Технические характеристики
  • Тип устройства: IGBT (N-channel).

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 360 В.

  • Ток коллектора: 30 А (постоянный) / до 120 А (импульсный).

  • Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В.

  • Тип корпуса: TO-263 / D2PAK (SMD).

  • Напряжение насыщения: ~1.4 В – 1.7 В.

  • Скорость переключения: Сверхбыстрая (Ultra High Speed).

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Сервісний центр "Галактика"
Сервісний центр "Галактика"
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор K1357
115 
188 
Транзистор D2024
40 
56 
Транзистор C4916
100 
170 
Транзистор Panasonic C5905
105 
163 
Транзистор K1524
45 
62 
Транзистор BC848C
5 
12 
Транзистор TOSHIBA K2610
135 
208 
FGA25S125P
95.65 
Транзистор K3566
90 
123 
Транзистор D1816
30 
42 
Транзистор BC638
23 
50 
Транзистор D2150
15 
24 
Транзистор C4742
110 
150 
Транзистор K1637
60 
92