Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD)

Код: 2100000028078
Готово к отправке
10+ купили
99 
Заказ у продавца — от 100 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Магазины Rozetka, Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA283220010000026006370091050
Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 2 - id-p2956815364

Характеристики и описание

ТипКорпус

RJP30H1 в корпусе TO-252 (D-PAK) — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), специально адаптированный для автоматизированного поверхностного монтажа. Он сочетает в себе мощность высоковольтного ключа и компактность SMD-компонента.

Благодаря монтажу непосредственно на медный полигон платы, этот транзистор обеспечивает минимальную индуктивность соединений, что крайне важно для стабильной работы на высоких частотах в блоках развертки телевизоров и импульсных источниках питания.

Основные сферы применения:

  • Плазменные панели (PDP): Ключевой элемент в компактных модулях Y-Main и X-Main (Sustain boards).

  • Портативные инверторы: Силовые узлы преобразователей напряжения.

  • Системы управления вспышками: Где необходима высокая энергия импульса при малом размере платы.

  • Автомобильная электроника: Специализированные блоки зажигания и управления нагрузкой.

Ключевые преимущества корпуса TO-263 (D2PAK):

  • Отвод тепла через плату: Не требует громоздких отдельных радиаторов (при достаточной площади меди).

  • Устойчивость к вибрациям: Жесткая фиксация на плате по всей плоскости корпуса.

  • Низкая паразитная индуктивность: Улучшает форму сигнала и уменьшает "звон" при переключении.

  • Современный стандарт: Оптимально для плотной компоновки радиоэлектронных модулей.


Технические характеристики
  • Тип устройства: IGBT (N-channel).

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 360 В.

  • Ток коллектора: 30 А (постоянный) / до 120 А (импульсный).

  • Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В.

  • Тип корпуса: TO-263 / D2PAK (SMD).

  • Напряжение насыщения: ~1.4 В – 1.7 В.

  • Скорость переключения: Сверхбыстрая (Ultra High Speed).

Вопросы и ответы

0
Хочешь узнать больше о товаре? Спрашивай — продавец с радостью подскажет.
Был online: Сегодня
Сервісний центр "Галактика"
Сервісний центр "Галактика"
100% положительных отзывов