Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD)

Код: 2100000028078
Готово к отправке
10+ купили
99 
Заказ у продавца — от 200 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Магазины Rozetka, Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA283220010000026006370091050
Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 1 - id-p2956815364
  • Транзистор RJP30H1 TO-252 (D-PAK) - Мощный скоростной IGBT (360V, 30A, SMD) - фото 2 - id-p2956815364

Характеристики и описание

ТипКорпус

RJP30H1 в корпусе TO-252 (D-PAK) — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), специально адаптированный для автоматизированного поверхностного монтажа. Он сочетает в себе мощность высоковольтного ключа и компактность SMD-компонента.

Благодаря монтажу непосредственно на медный полигон платы, этот транзистор обеспечивает минимальную индуктивность соединений, что крайне важно для стабильной работы на высоких частотах в блоках развертки телевизоров и импульсных источниках питания.

Основные сферы применения:

  • Плазменные панели (PDP): Ключевой элемент в компактных модулях Y-Main и X-Main (Sustain boards).

  • Портативные инверторы: Силовые узлы преобразователей напряжения.

  • Системы управления вспышками: Где необходима высокая энергия импульса при малом размере платы.

  • Автомобильная электроника: Специализированные блоки зажигания и управления нагрузкой.

Ключевые преимущества корпуса TO-263 (D2PAK):

  • Отвод тепла через плату: Не требует громоздких отдельных радиаторов (при достаточной площади меди).

  • Устойчивость к вибрациям: Жесткая фиксация на плате по всей плоскости корпуса.

  • Низкая паразитная индуктивность: Улучшает форму сигнала и уменьшает "звон" при переключении.

  • Современный стандарт: Оптимально для плотной компоновки радиоэлектронных модулей.


Технические характеристики
  • Тип устройства: IGBT (N-channel).

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 360 В.

  • Ток коллектора: 30 А (постоянный) / до 120 А (импульсный).

  • Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В.

  • Тип корпуса: TO-263 / D2PAK (SMD).

  • Напряжение насыщения: ~1.4 В – 1.7 В.

  • Скорость переключения: Сверхбыстрая (Ultra High Speed).

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Сервісний центр "Галактика"
Сервісний центр "Галактика"
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор C5044
100 
167 
Транзистор 2SK956
135 
185 
Транзистор J377
45 
57 
Транзистор C4706
105 
184 
Транзистор TT K2544
60 
92 
Транзистор K1637
60 
99 
Транзистор C4604
32 
58 
Транзистор C5343
15 
24 
Транзистор C4204
15 
29 
Транзистор 2SC5359
155 
225 
Транзистор K2740
90 
116 
Транзистор D1548
90 
126 
Транзистор Panasonic C5936
135 
200 
Транзистор K2666
75 
103