Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT 4133932 dobra sprava
Код: ki 286206-03
Готово к отправке
35 ₴
47 ₴скидка еще 37 дней
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счет
Характеристики и описание
| Ключевые слова | Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
|---|
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
