Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор SH1004B, Оригинал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO-220

Код: 512
5.0 (5)
90+ купили
Готово к отправке
49.84 ₴
56 ₴скидка еще 21 день
Заказ у продавца — от 100 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор SH1004B, Оригинал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO-220 - фото 1 - id-p2898089487

Характеристики и описание

Основные

Производитель
International Rectifier
Страна производительКитай

Пользовательские характеристики

Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+150V
Максимальний струм140A
Тип транзистораMOSFET

 Транзистор SH1004B,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

MOSFET-транзистор SH1004B (JMSH1004BC)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: JieJie Microelectronics (JMS)
  • Технологичная база: Power MOSFET Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 134А – 139 А (в зависимости от спецификаций кремниевого кристалла конкретной серии)
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 82А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 464А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 125 Вт – 156 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 3.3 мОм – 3.7 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 4.2 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th) типичное: 2.7 В (диапазон 2.0...4.0 В)
  • Полный заряд затвора Qg: 57 нКл
  • Входная емкость Ciss: 3433 пФ
  • Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 231 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 134 А
  • Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловые свойства: Корпус обеспечивает стабильную передачу тепла на радиатор при значительных коммутационных перегрузках

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокомощный коммутационный ключ низкого и среднего напряжения для высоконагруженных каскадов с жесткими режимами работы.
  • Совместимые устройства: Автомобильные и бытовые инверторы напряжения 12/24/48В, современные источники бесперебойного питания, зарядные станции, контроллеры электротранспорта.
  • Системы управления: Высокочастотные блоки питания, схемы активного синхронного выпрямления тока, ШИМ-регуляторы мощности тяжелых двигателей постоянного тока и платы защиты аккумуляторов.



SH1004B Datasheet скачать

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (5)
  • Вопросы (0)
  • 30.06.2026
    Віктор К.
     Куплено на Prom.ua
    Працюють.
  • 17.04.2026
    Ігор К.
     Куплено на Prom.ua
  • 01.05.2026
    Андрей Б.
     Куплено на Prom.ua
  • 18.03.2026
    олег б.
     Куплено на Prom.ua
  • 08.05.2026
    Володимир Д.
     Куплено на Prom.ua
Был online: Сегодня
INDA.COM.UA
INDA.COM.UA
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор FDS3570
999 ₴
1 347 ₴