
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Транзистор IRF830 — это силовой полевой MOSFET с N-каналом, предназначенный для работы в высоковольтных и среднетоковых схемах. Он рассчитан на максимальное напряжение до 500 В и ток до 4,5 А, что делает его оптимальным для использования в источниках питания, инверторах, драйверах и промышленной электронике.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (Rds(on) ≈ 1,2 Ом) транзистор обеспечивает эффективное управление нагрузкой с минимальными потерями мощности. Корпус TO-220 позволяет надежно закрепить компонент на радиаторе для эффективного теплоотвода.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | MOSFET |
| Канал | N-канальный |
| Максимальное напряжение сток–исток (Vds) | 500 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 4,5 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | до 75 Вт |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20 В |
| Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | ~1,2 Ом |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
высоковольтные источники питания и инверторы
силовые ключи и коммутационные узлы
управление электродвигателями малой и средней мощности
промышленная электроника
бытовая электроника и драйверы