SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N MOSFET, полевой, 30 В: 40 A (Tc): ~28 40 A, RDS(on) 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: мощность рассеяния 3.7 W
Код: 00-00079153В наличии
100 ₴
Заказ у продавца — от 400 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта, Укрпочта
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Vishay Intertechnology |
|---|
Пользовательские характеристики
| Заряд затвора | 77 nC |
|---|---|
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная Рабочая _x000D_ Температура | + 150 C |
| Минимальная Рабочая _x000D_ Температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 16 V, + 20 V |
| Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток | 30 V |
| Непрерывный ток _x000D_ утечки | 40 A |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток | 1 V |
| Рассеивание мощности | 52 W |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток | 2.05 mOhms |
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N‑MOSFET, полевой, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: мощность рассеяния 3.7 W (Ta) / 52 W (Tc)
Вопросы и ответы
0
Хочешь узнать больше о товаре? Спрашивай — продавец с радостью подскажет.
Был online: Вчера
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% положительных отзывов
