Prom – найбільший маркетплейс України

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23

Код: 00-00070255
В наличии
102.50 
Заказ у продавца — от 400 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
SI2337DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23 - фото 1 - id-p2829099012

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Vishay Intertechnology

Пользовательские характеристики

Pd - Рассеиваемая мощность760mW (Ta) 2.5W (Tc)
Ёмкость затвора500 pF @ 40 V
Диапазон номинальных напряжений затвора6V 10V
Заряд затвора17 nC @ 10 V
Макс. рабочая температура, С150
Максимальное напряжение затвор-исток±20V
Максимальное напряжение сток-исток, В80 V
Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А2.2
Мин. рабочая температура, С-50
МонтажSMD
Пороговое напряжение на затворе4V @ 250µA
Сопротивление канала в открытом состоянии270mOhm @ 1.2A 10V
СтруктураP-Channel
Тип корпусаSOT-23
SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23

Вопросы и ответы

0
Хочешь узнать больше о товаре? Спрашивай — продавец с радостью подскажет.