SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
Код: 00-00051185В наличии
25 ₴
Заказ у продавца — от 400 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта, Укрпочта
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Vishay Intertechnology |
|---|
Пользовательские характеристики
| Pd - Рассеиваемая мощность | 1.09W (Ta) 1.66W (Tc) |
|---|---|
| Ёмкость затвора | 190 pF @ 30 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 6.8 nC @ 10 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 2.3 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 156mOhm @ 1.9A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | SOT23-3 |
SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
Был online: Сегодня
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% положительных отзывов