Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V

Код: 00-00051185
Недоступен
25 
SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V - фото 1 - id-p2816575464

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Vishay Intertechnology

Пользовательские характеристики

Pd - Рассеиваемая мощность1.09W (Ta) 1.66W (Tc)
Ёмкость затвора190 pF @ 30 V
Диапазон номинальных напряжений затвора4.5V 10V
Заряд затвора6.8 nC @ 10 V
Макс. рабочая температура, С150
Максимальное напряжение затвор-исток±20V
Максимальное напряжение сток-исток, В60 V
Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А2.3
Мин. рабочая температура, С-55
МонтажSMD
Пороговое напряжение на затворе3V @ 250µA
Сопротивление канала в открытом состоянии156mOhm @ 1.9A 10V
СтруктураN-Channel
Тип корпусаSOT23-3
SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V

Вопросы и ответы

0
Хочешь узнать больше о товаре? Спрашивай — продавец с радостью подскажет.