Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор МП39Б

Код: 2715-35
В наличии
50 ₴
Продавец Малюшко
98%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Транзистор МП39Б - фото 1 - id-p2811802659

Характеристики и описание

Транзистор МП39Б

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Малюшко
98% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

BFS17A.215 Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 15 В, 2.8 ГГц, 300 мВт, 25 мА, 90 hFE
BFS17A.215 Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 15 В, 2.8 ГГц, 300 мВт, 25 мА, 90 hFE
57.50 ₴
CRSS028N10N 100V 180A 2.5mOm
CRSS028N10N 100V 180A 2.5mOm
82.50 ₴
IRFR5505TRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 18 А: Rси(вкл): 0.11 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR5505TRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 18 А: Rси(вкл): 0.11 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
66.25 ₴
NCE82H140D 82V 140A 220W 4.3mΩ@10V,20A 3V@250uA NChannel
NCE82H140D 82V 140A 220W 4.3mΩ@10V,20A 3V@250uA NChannel
60 ₴
IRFU4105ZPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 30 А: Rси(вкл): 24.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFU4105ZPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 30 А: Rси(вкл): 24.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
63.75 ₴
IRF5305PBF MOSFET транзистор: P-канал, 55 В, 31 А, 60 мОм
IRF5305PBF MOSFET транзистор: P-канал, 55 В, 31 А, 60 мОм
66.25 ₴
2N6036 Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 80 В: 4 А: 40 Вт
2N6036 Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 80 В: 4 А: 40 Вт
43.75 ₴
SVD1055SATR Полевой транзистор 2 W, 17A, 55V
SVD1055SATR Полевой транзистор 2 W, 17A, 55V
38.75 ₴
MMBF4393LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 5 мА, 30 мА, -3 В
MMBF4393LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 5 мА, 30 мА, -3 В
25 ₴
IRF530NSTRLPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 17 А, 90 мОм
IRF530NSTRLPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 17 А, 90 мОм
65 ₴
MPS751G Биполярный транзистор - TO-92FL-3: Тип: PNP: UКЭ(макс): 60 В: IК(макс): 2 А: Pрасс: 625 мВт
MPS751G Биполярный транзистор - TO-92FL-3: Тип: PNP: UКЭ(макс): 60 В: IК(макс): 2 А: Pрасс: 625 мВт
30 ₴
NCE82H140 82V 140A 220W 4.3mΩ@10V,20A 3V@250uA NChannel
NCE82H140 82V 140A 220W 4.3mΩ@10V,20A 3V@250uA NChannel
51.25 ₴
ULN2003AIDR Периферийный драйвер - [SOIC-16-3.9]: Вход: CMOS: Выходов: 7: Iout.max: 500 мА: Uout.max: 50 В: Логика: Invert:
ULN2003AIDR Периферийный драйвер - [SOIC-16-3.9]: Вход: CMOS: Выходов: 7: Iout.max: 500 мА: Uout.max: 50 В: Логика: Invert:
46.25 ₴
IRFB3306PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 160 А: Rси(вкл): 4.2 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
IRFB3306PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 160 А: Rси(вкл): 4.2 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
80 ₴