Prom – найбільший маркетплейс України

КТ853Г

Код: 17725
В наличии
10+ купили
13.25 ₴
Заказ у продавца — от 50 ₴
Продавец Магазин радиодеталей Реостат
100%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
КТ853Г - фото 1 - id-p2765290107

Характеристики и описание

КТ853Г

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Магазин радиодеталей Реостат
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRFP2907ZPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 75 В, 90 А, 0.0045 Ом, TO-247AC, Through Hole
IRFP2907ZPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 75 В, 90 А, 0.0045 Ом, TO-247AC, Through Hole
437.50 ₴
Транзистор 2SA1318
Транзистор 2SA1318
15 ₴
25 ₴
STP28N60DM2 Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 21 А, 0.13 Ом
STP28N60DM2 Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 21 А, 0.13 Ом
703.75 ₴
FQA36P15 Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 36 А, 0.09 Ом, TO-3P, Through Hole
FQA36P15 Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 36 А, 0.09 Ом, TO-3P, Through Hole
725 ₴
Транзистор A1428
Транзистор A1428
15 ₴
28 ₴
IHW40N65R6XKSA1 Биполярный транзистор 650 V Максимальное рассеиваение мощности 210Вт
IHW40N65R6XKSA1 Биполярный транзистор 650 V Максимальное рассеиваение мощности 210Вт
393.75 ₴
IKQ40N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT 1200 V 80 A 500 W Through Hole
IKQ40N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT 1200 V 80 A 500 W Through Hole
1 321.25 ₴
Тр.пол. 100N03DF (n-ch) (ND70N03DF) 30V 100A DFN3X3
Тр.пол. 100N03DF (n-ch) (ND70N03DF) 30V 100A DFN3X3
15 ₴
TTC0002(Q) Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 18А, 180Вт, TO3PL
TTC0002(Q) Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 18А, 180Вт, TO3PL
858.75 ₴
STGW35HF60WDI 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
STGW35HF60WDI 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
441.25 ₴
IRGP4650DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 76 А: Iк@100°C: 50 А: Uкэ.нас: 1.6 В: tнар: 33 нс: tспада: 46
IRGP4650DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 76 А: Iк@100°C: 50 А: Uкэ.нас: 1.6 В: tнар: 33 нс: tспада: 46
390 ₴
C3M0120065K МОП-транзистор Gen 3 650V 120 mO SiC МОП-транзистор
C3M0120065K МОП-транзистор Gen 3 650V 120 mO SiC МОП-транзистор
1 895 ₴
Транзистор A1516
Транзистор A1516
120 ₴
168 ₴
IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 75A
IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 75A
1 077.50 ₴