Prom – найбільший маркетплейс України

Резистор 5.1 Ohm 100W 5% AH100WJ-5R1 Hitano

Код: 164899
В наличии
от 55 ₴/мес
от 552 ₴
Продавец ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК
95%
Оплатить частями

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Изображение для Оплатить частями
    Без переплат*, от 55 ₴/мес.
    Подробнее
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA783052990000026004050287247
Резистор 5.1 Ohm 100W 5% AH100WJ-5R1 Hitano - фото 1 - id-p2743204916

Характеристики и описание

Производитель
Hitano
Страна производительКитай
Тип монтажаПоверхностный
Срок службы10000 час
Виробник: Hitano
Номінал: 5,1 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 100 W
Габарити: 89x70x44,5 mm
Тип: дротяний з радіатором

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК
ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRFH8324TRPBF MOSFET транзистор - PQFN-8-5x6: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 23 А: Rси(вкл): 3.3...4.1 мОм
IRFH8324TRPBF MOSFET транзистор - PQFN-8-5x6: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 23 А: Rси(вкл): 3.3...4.1 мОм
102.50 ₴
IRFB4310PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 140 А: Rси(вкл): 7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB4310PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 140 А: Rси(вкл): 7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
177.50 ₴
IPD50R500CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,6А, 57Вт
IPD50R500CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,6А, 57Вт
110 ₴
2SD1667
2SD1667
186.25 ₴
STF13NK50Z MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A
STF13NK50Z MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A
111.25 ₴
2SC3535
2SC3535
198.75 ₴
2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 10 МГц, 20 Вт, 500 мА, 5 hFE
2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 10 МГц, 20 Вт, 500 мА, 5 hFE
115 ₴
IRF1010NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 72 А, 11 мОм
IRF1010NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 72 А, 11 мОм
142.50 ₴
YGW60N65T1 60A 650V 312W (max)
YGW60N65T1 60A 650V 312W (max)
196.25 ₴
ISL9V3040S3ST-F085C IGBT транзистор - D2PAK, 400V, N-Channel Iк 25°C: 21 А, Uкэ.нас: 1.58 В
ISL9V3040S3ST-F085C IGBT транзистор - D2PAK, 400V, N-Channel Iк 25°C: 21 А, Uкэ.нас: 1.58 В
262.50 ₴
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
132.50 ₴
FDMC8010 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 75 А, 900 мкОм, Power 33, Surface Mount
FDMC8010 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 75 А, 900 мкОм, Power 33, Surface Mount
177.50 ₴
IRFR9214PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 250 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 4.5 В:
IRFR9214PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 250 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 4.5 В:
141.25 ₴
IRLB3813PBF MOSFET силовой транзистор - Примечание: N CHANNEL MOSFET, 30V, 260mA
IRLB3813PBF MOSFET силовой транзистор - Примечание: N CHANNEL MOSFET, 30V, 260mA
135 ₴