IGBT транзистор CRMICRO G60T60AN3H 600 В 120 А N-канальный с диодом TO-3P-N для инверторов UPS сварочных аппаратов

IGBT транзистор CRMICRO G60T60AN3H 600 В 120 А N-канальный с диодом TO-3P-N для инверторов UPS сварочных аппаратов

Мощный IGBT G60T60AN3H предназначен для силовых преобразователей: инверторов, источников бесперебойного питания UPS, сварочных аппаратов и ПЗП-систем. Работает при VCES 600 В и токе IC до 120 А (25°C), поддерживает импульсный ток до 180 А. Встроенный диод упрощает схему и снижает число внешних компонентов. Корпус TO-3P-N обеспечивает удобный монтаж на радиатор и эффективный теплоотвод при мощности рассеяния 403 Вт.

Задержка включения 66 нс и низкое насыщение VCE(sat) 1.85 В @ 60 А повышают КПД и уменьшают потери. Рабочий температурный диапазон –40...+150°C позволяет использовать транзистор в промышленной силовой электронике.

Характеристики:

• Модель: G60T60AN3H
• Бренд: CRMICRO
• Тип: N-канальный IGBT с встроенным диодом
• VCES: 600 В
• Ток коллектора IC @25°C: 120 А
• Ток коллектора IC @100°C: 60 А
• Импульсный ток ICM: 180 А
• Мощность рассеяния: 403 Вт
• Задержка включения: 66 нс
• VCE(sat): 1.85 В @ 60 А
• Диапазон температур: –40...+150°C
• Корпус: TO-3P-N
• Состояние: Новый
• Назначение: инверторы, ПЗП, UPS, сварочные аппараты

Применение:

• Инверторы и преобразователи
• Источники бесперебойного питания UPS
• Сварочные аппараты
• ПЗП-системы и промышленная силовая электроника