




| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
Полевой транзистор ON Semiconductor G40T60AN3H – это мощный N-канальный IGBT-транзистор, предназначенный для использования в мощных электронных схемах, включая блоки питания, инверторы и промышленные устройства. Поддерживает напряжение до 600 В и ток до 40 А, обеспечивая надежную работу и высокую эффективность. Корпус TO-3P способствует эффективному теплоотводу и удобному монтажу. Транзистор имеет низкие потери переключения, что повышает энергоэффективность в схемах с высокими нагрузками.
Характеристики:
Бренд: ON Semiconductor
Тип: полевой транзистор (IGBT)
Структура: N-канал
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер: 40 А
Корпус: TO-3P
Назначение: мощные электронные схемы, питание, инверторы