MOSFET ON Semiconductor 5503DM N-канальный TO-263 SMD 80 А 30 В для силовых схем

MOSFET ON Semiconductor 5503DM N-канальный TO-263 SMD 80 А 30 В для силовых схем

Мощный N-канальный MOSFET ON Semiconductor 5503DM в корпусе TO-263 (D2PAK) предназначен для коммутации нагрузок в силовой электронике. Подходит для импульсных источников питания, автомобильной электроники и усилителей. Низкое сопротивление канала во включенном состоянии обеспечивает эффективное управление токами до 80 А при максимальном напряжении 30 В. Поверхностный SMD-монтаж упрощает установку на плату.

Компактные габариты 9.9×10.2 мм экономят место на печатной плате при сохранении преимуществ теплового отвода форм-фактора TO-263.

Характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Модель: 5503DM
• Производитель: ON Semiconductor
• Корпус: TO-263
• Монтаж: SMD
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 80 А
• Размеры: 9.9×10.2 мм
• Назначение: силовые электронные схемы
• Состояние: Новый

Основные преимущества:

• Низкое сопротивление во включенном состоянии для снижения потерь
• Высокий ток 80 А при напряжении до 30 В
• Надежный силовой корпус TO-263 с SMD-монтажом
• Совместимость с типовыми силовыми платами форм-фактора D2PAK

Применение:

• Импульсные блоки питания
• Автоэлектроника
• Усилители
• DC-DC преобразователи
• Промышленная силовая электроника