Чип транзистор IGBT 30F131 GT30F131 TO-263-2 (286206)
Код: 852154
В наличии
110 ₴
120 ₴скидка еще 28 дней
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежМагазины Rozetka, Нова Пошта
Характеристики и описание
| Производитель | Без бренда |
|---|
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе ТО-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
