Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

Код: 404
Готово к отправке
10+ купили
64 ₴
80 ₴скидка еще 38 дней
Заказ у продавца — от 100 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 1 - id-p2489235459
  • Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 1 - id-p2489235459
  • Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 2 - id-p2489235459
  • Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 3 - id-p2489235459
  • Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 4 - id-p2489235459
  • Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 5 - id-p2489235459

Характеристики и описание

Основные

Производитель
International Rectifier
Страна производительКитай

Пользовательские характеристики

КорпусTO-220
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+75V
Максимальный ток80A
Тип транзистораMOSFET
IRF3607 - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3607 Общие параметры: Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3607PBF Технологичная база: Advanced HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 80А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 56 А Пиковый импульсный ток стока Idm: 310 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 140 Вт Максимальная одиночная передача энергии Eas: 120 мДж Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 7.3 мОм при напряжении затвора 10 В и тока 46 А Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 9.0 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~56-84 нКл при напряжении затвора 10В Входная емкость Ciss: ~3070 пФ Выходная емкость Coss: ~280 пФ Время задержки включения tdon: ~16 нс Время задержки отключения tdoff: ~38 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе 46 А и напряжении затвора 0 В Время обратного восстановления trr: ~32-48 нс Максимальный прямой ток диода If: 80А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 1.04 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Силовые выходные каскады преобразователей напряжения, автомобильные и промышленные инверторы. Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), BMS платы защиты литиевых аккумуляторов, зарядные устройства. Системы управления: Контроллеры электротранспорта, схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и ШИМ-регуляторы двигателей постоянного тока.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Оригинальные запчасти
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор BTS141
999 ₴
1 461 ₴
Левенчук 850Б
44 673 ₴
Транзистор AP9971GH
999 ₴
1 408 ₴