Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

Код: 403
5.0 (2)
20+ купили
Готово к отправке
68 ₴
80 ₴скидка еще 38 дней
Заказ у продавца — от 100 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 1 - id-p2489235458
  • Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 1 - id-p2489235458
  • Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 2 - id-p2489235458
  • Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 3 - id-p2489235458
  • Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220 - фото 4 - id-p2489235458

Характеристики и описание

Основные

Производитель
International Rectifier
Страна производительКитай

Пользовательские характеристики

КорпусTO-220
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+75V
Максимальный ток170A
Тип транзистораMOSFET
Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3207 Общие параметры: Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3207PBF Технологичная база: HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 170...180 А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 75А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 120А Пиковый импульсный ток стока Idm: 390...670 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300...330 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.6...4.1 мОм при напряжении затвора 10 В Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.5 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~180 нКл при напряжении затвора 10 В Входная емкость Ciss: ~7600 пФ Выходная емкость Coss: ~710 пФ Время нарастания импульса tr: ~120 нс Время спада импульса tf: ~74 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе обратного хода Время обратного восстановления trr: ~36-54 нс Максимальный прямой ток диода If: 170А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: ~0.45...0.50 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Мощные выходные каскады низковольтных преобразователей напряжения и автомобильных инверторов (12 В в 220 В). Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), зарядные станции, системы высокоскоростного переключения питания. Системы управления: Схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и контроллеры двигателей постоянного тока.

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (2)
  • Вопросы (0)
+4 отзывов у других продавцов
  • 25.02.2026
    віталій в.
     Куплено на Prom.ua
  • 25.02.2026
    Максим К.
     Куплено на Prom.ua
Был online: Сегодня
Оригинальные запчасти
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор AP73T02GH
999 ₴
1 377 ₴