Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор SI4501DY-T1-E3

Код: 12360
Готово к отправке
10+ купили
42 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 50 ₴
Продавец IMPORTTIME
98%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта (Бесплатно при условии)

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор SI4501DY-T1-E3 - фото 1 - id-p2472728329

Характеристики и описание

Страна производительКитай
Транзистор SI4501DY-T1-E3

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
IMPORTTIME
IMPORTTIME
98% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

FDD5353 N-Channel Power Trench MOSFET, 60V, 50A, 12.3mΩ
FDD5353 N-Channel Power Trench MOSFET, 60V, 50A, 12.3mΩ
391.30 ₴
STP8NK80Z MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 6.2 А: Rси(вкл): 1.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
STP8NK80Z MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 6.2 А: Rси(вкл): 1.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
146.30 ₴
AOTF10B60D Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
AOTF10B60D Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
122.50 ₴
STF22NM60N Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 16 А: Rси(вкл): 0.22 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 35 нКл
STF22NM60N Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 16 А: Rси(вкл): 0.22 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 35 нКл
125 ₴
BD442G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт
BD442G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт
118.80 ₴
FDPF13N50FT MOSFET N-CH 500V 12A
FDPF13N50FT MOSFET N-CH 500V 12A
121.30 ₴
CSD19531Q5A MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
CSD19531Q5A MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
176.30 ₴
FDB52N20TM Транзистор: N-MOSFET: полевой: 200В: 52А: 357Вт
FDB52N20TM Транзистор: N-MOSFET: полевой: 200В: 52А: 357Вт
387.50 ₴
IHW20N135R5XKSA1 IGBT транзистор, 40 А, 1.65 В, 288 Вт, 1.35 кВ
IHW20N135R5XKSA1 IGBT транзистор, 40 А, 1.65 В, 288 Вт, 1.35 кВ
255 ₴
IPA60R600P6XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 7.3 А, 600 В, 0.54 Ом, 10 В, 4 В
IPA60R600P6XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 7.3 А, 600 В, 0.54 Ом, 10 В, 4 В
233.80 ₴
IRFP450APBF MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 14 А
IRFP450APBF MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 14 А
331.30 ₴
IPA80R1K0CEXKSA2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,6А, Idm: 18А, 32Вт, TO220FP
IPA80R1K0CEXKSA2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,6А, Idm: 18А, 32Вт, TO220FP
348.80 ₴
2SD1554 Транзистор биполярный, NPN, 40 Вт, Ucb: 1500 В, Uce: 600 В, 3,5 А, 3 МГц
2SD1554 Транзистор биполярный, NPN, 40 Вт, Ucb: 1500 В, Uce: 600 В, 3,5 А, 3 МГц
138.80 ₴
IRLB3036PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 270 А: Rси(вкл): 2.4...2.8 мОм: @Uзатв(ном):
IRLB3036PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 270 А: Rси(вкл): 2.4...2.8 мОм: @Uзатв(ном):
382.50 ₴