Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор BD679 (TO-126)

Код: 2922
Готово к отправке
10+ купили
27.50 ₴
Заказ у продавца — от 50 ₴
Продавец IMPORTTIME
98%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта (Бесплатно при условии)

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор BD679 (TO-126) - фото 1 - id-p2472724261

Характеристики и описание

Производитель
STMicroelectronics
Страна производительКитай
Транзистор BD679. Тип корпусу: TO-126. Виробник:

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
IMPORTTIME
IMPORTTIME
98% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRF1104PBF MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 100 А, 9 мОм
IRF1104PBF MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 100 А, 9 мОм
221.25 ₴
IRF7471PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 13...16 мОм: @Uзатв(ном):
IRF7471PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 13...16 мОм: @Uзатв(ном):
122.50 ₴
STD20NF06LT4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 24 А: Rси(вкл): до 40 мОм: @Uзатв(ном): 3..8 В:
STD20NF06LT4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 24 А: Rси(вкл): до 40 мОм: @Uзатв(ном): 3..8 В:
112.50 ₴
IKW30N60H3FKSA1 IGBT транзистор, 30 А, 2.4 В, 187 Вт, 600 В
IKW30N60H3FKSA1 IGBT транзистор, 30 А, 2.4 В, 187 Вт, 600 В
200 ₴
CSD18534KCS MOSFET N-CH Si 60V 100A
CSD18534KCS MOSFET N-CH Si 60V 100A
138.75 ₴
IRFR9220PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 200 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 1.5 Ом: @Uзатв(ном): 4.5 В:
IRFR9220PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 200 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 1.5 Ом: @Uзатв(ном): 4.5 В:
105 ₴
AGM40P100A P-Channel 40V 130A 173W Surface Mount PDFN(5x6)
AGM40P100A P-Channel 40V 130A 173W Surface Mount PDFN(5x6)
95 ₴
FDD4243 Транзистор полевой, P-MOSFET, -40В, -14А, 42Вт, TO252
FDD4243 Транзистор полевой, P-MOSFET, -40В, -14А, 42Вт, TO252
127.50 ₴
HGTP20N60A4 IGBT транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В
HGTP20N60A4 IGBT транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В
173.75 ₴
SGT40N60FD2P7 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2P7 380 Вт, 600 В, 80 А
140 ₴
IRFU9014PBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFU9014PBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
110 ₴
IRFP260MPBF МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 200 В, 0.04 Ом, 10 В, 4 В
IRFP260MPBF МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 200 В, 0.04 Ом, 10 В, 4 В
130 ₴
IRFR540ZTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 28.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
IRFR540ZTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 28.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
163.75 ₴
IRFR48ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 62 А: Rси(вкл): 11 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR48ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 62 А: Rси(вкл): 11 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
132.50 ₴