Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

IRGB20B60PD1PBF IR

Код: 63117
Недоступен
108.44 ₴
IRGB20B60PD1PBF IR - фото 1 - id-p2435313782

Характеристики и описание

Единица измерения: шт
Производитель: IR
корпус: TO-220AB
Vces: 600 V
Vce: 2,05 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 22 A
Pd 25: 215 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 20/125

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

FZT751TA Транзистор: PNP, биполярный, -60 В, -3 А, 2 Вт, SOT223
FZT751TA Транзистор: PNP, биполярный, -60 В, -3 А, 2 Вт, SOT223
33.75 ₴
AO3404A Транзистор MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
AO3404A Транзистор MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
6.25 ₴
AOD514 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 36А, 25Вт, TO252
AOD514 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 36А, 25Вт, TO252
18.75 ₴
SI2307BDS-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.063 Ом, -10 В, -3 В
SI2307BDS-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.063 Ом, -10 В, -3 В
20 ₴
2SC1815GR Транзистор: NPN, биполярный, 50В, 0,15А, 400мВт, TO92
2SC1815GR Транзистор: NPN, биполярный, 50В, 0,15А, 400мВт, TO92
6.25 ₴
MUN2133T1G Биполярный предварительно смещенный / цифровой транзистор , BRT, одинарный PNP, 50 В, 100 мА
MUN2133T1G Биполярный предварительно смещенный / цифровой транзистор , BRT, одинарный PNP, 50 В, 100 мА
6.25 ₴
2SA1013 Транзистор PNP -160В -1А 0.9Вт 50МГц
2SA1013 Транзистор PNP -160В -1А 0.9Вт 50МГц
10 ₴
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
21.25 ₴
BC557C Транзистор: PNP: биполярный: 50В: 100мА
BC557C Транзистор: PNP: биполярный: 50В: 100мА
2.50 ₴
MMBF5485 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MMBF5485 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
31.25 ₴
BC547C Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
BC547C Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
3.75 ₴
SI2308A 60V 3A 1.25W 80mOm@10V,3A 3V@250uA 1PCSNChannel SOT-23 MOSFETs
SI2308A 60V 3A 1.25W 80mOm@10V,3A 3V@250uA 1PCSNChannel SOT-23 MOSFETs
6.25 ₴
MMBF4391LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА
MMBF4391LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА
16.25 ₴
IKD06N60RFATMA1 IGBT , 12 А, 2,2 В, 100 Вт, 600 В, TO-252 (DPAK), 3 контакта
IKD06N60RFATMA1 IGBT , 12 А, 2,2 В, 100 Вт, 600 В, TO-252 (DPAK), 3 контакта
36.25 ₴