|
2П103Б
Транзисторы 2П103Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.215 ТУ.

Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М:
Тип
полевого транзистора |
Предельные значения параметров при Т=25°С |
Значения параметров при Т=25°С |
Т ОКР |
| Р МАКС |
UСИ МАКС |
UЗС МАКС |
UЗИ МАКС |
IС МАКС |
UЗИ ОТС |
g22И |
IЗ УТ |
S |
IС НАЧ |
C11И |
C12И |
КШ |
| мВт |
В |
В |
В |
мА |
В |
мкСм |
нА |
мА/В |
мА |
пФ |
пФ |
дБ |
°С |
| КП103Е |
7 |
10 |
15 |
- |
- |
0,4…1,5 |
<5 |
20 |
0,4…2,4 |
0,3…2,5 |
<20 |
<8 |
3 |
-55…+85 |
| КП103Ж |
12 |
10 |
15 |
- |
- |
0,5…2,2 |
<10 |
20 |
0,5…2,8 |
0,85…3,8 |
<20 |
<8 |
3 |
-55…+85 |
| КП103И |
21 |
12 |
15 |
- |
- |
0,8…3 |
<15 |
20 |
0,8…2,6 |
0,8…1,8 |
<20 |
<8 |
3 |
-55…+85 |
| КП103К |
38 |
10 |
15 |
- |
- |
1,4…4 |
<20 |
20 |
1,0…3,0 |
1…5,5 |
<20 |
<8 |
3 |
-55…+85 |
| КП103Л |
66 |
12 |
17 |
- |
- |
2…6 |
<40 |
20 |
1,8…3,8 |
1,8…6,6 |
<20 |
<8 |
3 |
-55…+85 |
| КП103М |
120 |
10 |
17 |
- |
- |
2,8…7 |
<70 |
20 |
1,3…4,4 |
3…12 |
<20 |
<8 |
3 |
-55…+85 |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
|