
2Т704Б ВП "5" <> Ni
Транзисторы 2Т704Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Вывод эмиттера маркируется точкой. Тип корпуса: КТ-10. Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Основные технические характеристики транзистора 2Т704Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом.
Актуальная цена и наличие - по запросу.
Пожалуйста, предварительно уточняйте.
Пожалуйста, пишите в комментарии к заказу какие именно позиции или номиналы заказываете.
По желанию покупателя создам отдельное обьявление для конкретной позиции.
По запросу сделаю фото.
Купить товар Вы можете позвонив нам по телефону 093-939 -51-45 или через сайт компании https://radioprom.prom.ua/