MOSFET-транзистор SRC60R140B
Общие параметры:
- Производители / Бренд: Shenzhen Sanrise Technology
- Технологичная база: Super Junction MOS Technology
- Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
- Выполнение корпуса: TO-247 (также выпускается в вариантах TO-220F, TO-220C, TO-263-2)
Электрические параметры (Игрально допустимые значения):
- Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
- Постоянный ток стока Id при 25°C: 25А
- Постоянный ток стока Id при 100°C: 15.8 А
- Пиковый импульсный ток стока Idm: 76А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 178.6 Вт
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on): 0.14 Ом
- Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.14 Ом
- Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.3...4.3 В
- Полный заряд затвора Qg: 40.4 нКл
- Входная емкость Ciss: 1650 пФ
- Выходная емкость Coss: 129.6 пФ
- Время задержки отключения td(off): 76 нс
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vsd: 0.90 В
- Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 25А
- Время обратного восстановления диода trr: 124 нс
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.7 °C/Вт
- Тепловое сопротивление переход-среда Rthja: 62 °C/Вт
Область применения и использования:
- Основное назначение: Сверхвысокоэффективный силовой переключатель для сетевых серверных и телекоммуникационных систем.
- Совместимые устройства: Серверные AC / DC блоки питания, солнечные инверторы, вычислительная техника и ПК.
- Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) с высокой плотностью энергии
SRC60R140B Datasheet скачать