Доставка
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Характеристики и описание
| Производитель | SanKen |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
Наименование: MGD622
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 90
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 90
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 40
Тип корпуса: TO3P
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 90
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 90
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 40
Тип корпуса: TO3P
