К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов
Транзистор MGD623S
Код: MGD623S
130 ₴
Характеристики и описание
| Производитель | SanKen |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
Наименование: MGD623S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 150pf
Тип корпуса: TO3P
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 150pf
Тип корпуса: TO3P
![IRF7822TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rси(вкл): 6.5 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 12](https://images.prom.ua/7435918492_w200_h200_irf7822trpbf-mosfet-silovoj.jpg)
![IRF7351PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 4 А: Rси(вкл): 55 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:](https://images.prom.ua/7435894562_w200_h200_irf7351pbf-mosfet-silovoj.jpg)
![IRL2703PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 24 А: Rси(вкл): 40...60 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10](https://images.prom.ua/7435918525_w200_h200_irl2703pbf-mosfet-silovoj.jpg)
