Модули серии IGBT BSM100GB120DLC BSM150GB120DLC
Код: BSM100GB120DLC
Готово к отправке
от 1 100 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплата на счетIBAN UA783052990000026004050287247
Характеристики и описание
| Производитель | Infineon |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Срок службы | 8000 час |
Наименование: BSM100GB120DLCK
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 835
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
