


| Производитель | Semikron |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Трехфазный диодный мост + IGBT транзистор с | ||
| > | диодом в коллекторной цепи | ||
| Температура робоча | -40...+125 | *C |
Компания SEMIKRON производит IGBT модули, полумосты, IGBT транзисторы, модули в различных корпусах, которые соответствуют определённым технологическим характеристикам. Различают восемь видов корпусов: SEMITRANS, SEMiX, SEMITOP,SKiiP IPM, Mini SKiiP, Mini SKiiP IPM, SKIM 4/5,SKIM 63/93.
SEMIKRON производит разнообразные типы силовых полупроводниковых приборов:
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками.
IGBT полумосты и модулиSemikron выпускает широкую гамму силовой продукции в диапазоне токов от 1 А до 100 А и напряжении от 200 В до 3000 В. Наиболее известны выпрямительные IGBT полумосты и диоды на большие токи.
Сегодня компания SEMIKRON предлагает восемь типов модулей IGBT в стандартных конструктивах с рабочим напряжением 600, 1200 и 1700 В.
IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер