Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта (Бесплатно при условии)
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Характеристики и описание
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 180 В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 160 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.3 Вт |
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO92
