КТ909А КТ-15 (Au) транзистор NPN 500 МГц (4А 60В) 16W
Код: КТ909А /YIP
В наличии
260.90 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA953052990000026008036705932
Характеристики и описание
Основные
| Материал корпуса | Металлокерамика |
|---|---|
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Тип транзистора | Биполярный |
Пользовательские характеристики
| NPN | кремниевые |
|---|---|
| исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | ссср |
КТ909А
Транзисторы КТ909А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Тип корпуса: КТ-15.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - ЩБ3.365.064ТУ.
Импортный аналог: 2N5177, 2SC2033.
Основные технические характеристики транзистора КТ909А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 27 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 мА (60В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 17 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР | ||||
| А | А | В | В | В | В | Вт | В | мА | мА | ГГц | Вт | дБ | °С | °С | |||
| КТ909А | n-p-n | 2 | 4 | 60 | - | 3,5 | 28 | 27 | - | 0,18 | <30 | <6 | >0,36 | >17 | >1,7 | 120 | -40…+85 |
| КТ909Б | n-p-n | 4 | 8 | 60 | - | 3,5 | 28 | 54 | - | 0,18 | <60 | <10 | >0,5 | >35 | >1,75 | 120 | -40…+85 |
| КТ909В | n-p-n | 2 | 4 | 60 | - | 3,5 | 28 | 27 | - | 0,18 | <30 | <6 | >0,45 | >12 | >1,2 | 120 | -40…+85 |
| КТ909Г | n-p-n | 4 | 8 | 60 | - | 3,5 | 28 | 54 | - | 0,18 | <60 | <10 | >0,45 | >30 | >1,5 | 120 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
