Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор КТ928 А,Б,В

Код: Транз 169
В наличии
180 ₴
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец Мория
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор КТ928 А,Б,В - фото 1 - id-p1862936123

Характеристики и описание

СостояниеНовое
Транзистор КТ928 А,Б,В

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Мория
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

FQP11N40C Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400 V 10.5A (Tc) 135W
FQP11N40C Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400 V 10.5A (Tc) 135W
160 ₴
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
413.80 ₴
IRFP3306PBF MOSFET транзистор: N-канал, 60 В, 160 А, 4.2 мОм
IRFP3306PBF MOSFET транзистор: N-канал, 60 В, 160 А, 4.2 мОм
362.50 ₴
NGTG15N60S1EG БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
NGTG15N60S1EG БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
307.50 ₴
STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - DPAKР: Тип: N: Uси: 900 В: Iс(25°C): 2,1 А: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 19,5
STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - DPAKР: Тип: N: Uси: 900 В: Iс(25°C): 2,1 А: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 19,5
126.30 ₴
FDP19N40-VB N-Channel 650V 20A 208W Through Hole TO-220AB
FDP19N40-VB N-Channel 650V 20A 208W Through Hole TO-220AB
311.30 ₴
IRFBE20 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 1.8 А: Rси(вкл): 6.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
IRFBE20 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 1.8 А: Rси(вкл): 6.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
117.50 ₴
CRJT99N65G2 650V 35A 81mOm
CRJT99N65G2 650V 35A 81mOm
230 ₴
IRFB4710PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 75 А: Rси(вкл): 14 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB4710PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 75 А: Rси(вкл): 14 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
158.80 ₴
STP13NM60N MOSFET транзистор - TO-220, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 11 А, Rси(вкл): 0.36 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 30 нКл
STP13NM60N MOSFET транзистор - TO-220, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 11 А, Rси(вкл): 0.36 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 30 нКл
190 ₴
20N60CFD-VB TO220F MOSFET транзистор: N-канал, 650 В, 20 А, 190 мОм
20N60CFD-VB TO220F MOSFET транзистор: N-канал, 650 В, 20 А, 190 мОм
285 ₴
2SD1667
2SD1667
192.50 ₴
STGP8NC60KD IGBT транзистор, 15 А, 2.2 В, 65 Вт, 600 В
STGP8NC60KD IGBT транзистор, 15 А, 2.2 В, 65 Вт, 600 В
151.30 ₴
STGD7NC60HT4 IGBT транзистор, 25 А, 1.85 В, 70 Вт, 600 В
STGD7NC60HT4 IGBT транзистор, 25 А, 1.85 В, 70 Вт, 600 В
215 ₴