Транзистор YGW40N65F1 TO247 40n65, 40n60
Код: YGW40N65F1
Готово к отправке
10+ купили
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в магазины Rozetka
Бесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежМагазины Rozetka, Нова Пошта, Укрпочта, Meest ПОШТА
Оплата на счетIBAN UA493220010000026007340090381
Характеристики и описание
| Страна производитель | Китай |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Тип монтажа | Вставной |
Транзистор YGW40N65F1 представляет собой IGBT (индуктивно-емкостный биполярный транзистор с изолированным затвором), с максимальным рабочим напряжением 650 В и максимальным рабочим током 80 А при температуре 20ºC.
Ниже приведены основные характеристики транзистора YGW40N65F1:
- Наличие встроенного диода
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 °C: 80 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 120 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при +25 ºC: 1.8 В
- Пороговое напряжение затвора: 4.9 В
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 188 Вт
- Выходная емкость: 2100 пФ
- Рабочая температура: -40 ... +175 °C
- Тип корпуса: TO247
Транзистор YGW40N65F1 доступен в корпусе TO247.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
