Транзистор IRF840 N-канальный MOSFET (полевой транзистор), обеспечивает наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и доступной цены.
Характеристики:
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
- Время нарастания (tr): 23 ns
- Выходная емкость (Cd): 310 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
- Тип корпуса: ТО220