Транзистор КТ818А

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Характеристики:

Структура транзистора: p-n-p
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный тофк коллектора: 10 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15
Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом