MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 20 А
Характеристики:
- Номинальное Напряжение (DC) 500 V
- Номинальный ток 20.0 A
- Сопротивление сток-исток (открытого канала) 270 mΩ
- Полярность N-Channel
- Рассеяние мощности 280 W
- Напряжение сток-исток (Vds) 500 V
- Пробивное напряжение (стока-исток) 500V (min)
- Пробивное напряжение (затвор-исток) ±30.0 V
- Непрерывный ток стока (Ids) 20.0 A
- Время нарастания 55 ns
- Количество выводов 3
- Рабочая температура -55℃ ~ 150℃