Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

IRFP 450 транзистор MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W

Код: IRFP450
Недоступен
165.80 ₴
IRFP 450 транзистор MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W - фото 1 - id-p1828676702
  • IRFP 450 транзистор MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W - фото 1 - id-p1828676702
  • IRFP 450 транзистор MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W - фото 2 - id-p1828676702
  • IRFP 450 транзистор MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W - фото 3 - id-p1828676702
  • IRFP 450 транзистор MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W - фото 4 - id-p1828676702

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Vishay Intertechnology
Страна производительКитай
Максимальная мощность рассеивания280 Вт
Максимально допустимое напряжение сток-исток500 В
Максимально допустимый ток стока14 А
Материал корпусаМеталлокерамика
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Пользовательские характеристики

Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH500V 14A
Корпус транзистора:ТО247
IRFP 450   транзистор  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 190W

IRFP 450  N-CHANNEL 500V 14A RDS(on) = 40mΩ Н-Canal HEXFET Power MOSFET TO-247AC

Производитель : Vishay
Категория продукта : МОП-транзистор
Соответствует :    
Полярность транзистора : N-канал
Сток-исток Напряжение пробоя : 500 В
Затвор-исток Напряжение пробоя : + / ― 20 В
Непрерывный ток стока : 14
РДС на : 400 мОм
Конфигурация : Один
Максимальная рабочая температура : + 150 C
Монтажа : Сквозное отверстие
Упаковка / блок : К-247AC
Упаковка : Трубка
Время спада : 44 нс  
Минимальная рабочая температура : - 55 C  
Рассеиваемая мощность : 190 Вт  
Время нарастания : 47 нс  
Фабричной упаковки : 25  
Типичный задержки выключения Время : 92 нс

 

Похожие товары по характеристикам

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

P-MOSFET транзистор IRF9Z34 - THT - 5 шт.
P-MOSFET транзистор IRF9Z34 - THT - 5 шт.
445 ₴
Транзистор полевой MOSFET SI2302A
Транзистор полевой MOSFET SI2302A
10 ₴
MOSFET, N-канальный, 600 В, 23 А, 227 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247
MOSFET, N-канальный, 600 В, 23 А, 227 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247
652 ₴
SiC-MOSFET N-канальный/SBD, 1200 В 134 А 935 Вт, C-пакет
SiC-MOSFET N-канальный/SBD, 1200 В 134 А 935 Вт, C-пакет
5 164 ₴
SiC-MOSFET N-канальный, 650 В, 21 А, 0,156 Ом, корпус TO-247
SiC-MOSFET N-канальный, 650 В, 21 А, 0,156 Ом, корпус TO-247
831 ₴
Транзистор VN2460N3-G
Транзистор VN2460N3-G
410 ₴
IGBT-транзистор, N-канальный, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус TO-247-3
IGBT-транзистор, N-канальный, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус TO-247-3
525 ₴
74AHST1G14GW TSSOP5 Inverting Schmitt trigger
74AHST1G14GW TSSOP5 Inverting Schmitt trigger
55 ₴
МОП-транзистор-Фоторел, 1,5кВ, 60В, 0,5А, SO4
МОП-транзистор-Фоторел, 1,5кВ, 60В, 0,5А, SO4
647 ₴
IGBT-транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А, 125 Вт, корпус TO-220
IGBT-транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А, 125 Вт, корпус TO-220
429 ₴
MOSFET N-канальный 600 В 16 А 280 Вт 0,4 Ом TO247AC
MOSFET N-канальный 600 В 16 А 280 Вт 0,4 Ом TO247AC
429 ₴
Транзистор с технологией Field Stop Trench, 650В, ном. ток 40А, 40T65FDSC (Magnachip Semiconductor) ВС
Транзистор с технологией Field Stop Trench, 650В, ном. ток 40А, 40T65FDSC (Magnachip Semiconductor) ВС
114 ₴
120 ₴
Изделие Транзистор GP47S60X, FA573681.51, 600V, 47A, TO-247
Изделие Транзистор GP47S60X, FA573681.51, 600V, 47A, TO-247
281.60 ₴
352 ₴
MOSFET, N-канальный, 600 В, 37,9 А, сопротивление 0,099 Ом, корпус TO-220
MOSFET, N-канальный, 600 В, 37,9 А, сопротивление 0,099 Ом, корпус TO-220
566 ₴