
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
Наименование прибора: STP80NF70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 68 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 98 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время роста (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 550 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.0098 Ohm
Тип корпуса: TO220