Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 2SD718

В наличии
10+ купили
87 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 150 ₴
Продавец ФЛП Коротенко В.Н.
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Транзистор 2SD718 - фото 1 - id-p1788887753

Характеристики и описание

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 120В

Максимальный ток - 8А

Тип корпуса ТО-3P

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
ФЛП Коротенко В.Н.
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IPN70R750P7SATMA1 Транзистор 700 V, 6.5 A, 6.7 W, 620 mOhms
IPN70R750P7SATMA1 Транзистор 700 V, 6.5 A, 6.7 W, 620 mOhms
178.80 ₴
ISL9V3040S3ST-F085C IGBT транзистор - D2PAK, 400V, N-Channel Iк 25°C: 21 А, Uкэ.нас: 1.58 В
ISL9V3040S3ST-F085C IGBT транзистор - D2PAK, 400V, N-Channel Iк 25°C: 21 А, Uкэ.нас: 1.58 В
272.50 ₴
STD18N55M5 MOSFET силовой транзистор - TO-252-2, Тип: N, Uси: 550 В, Iс(25°C): 13 А, Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом.
STD18N55M5 MOSFET силовой транзистор - TO-252-2, Тип: N, Uси: 550 В, Iс(25°C): 13 А, Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом.
188.80 ₴
IRFP4110PBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 180 А
IRFP4110PBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 180 А
268.80 ₴
STFH10N60M2 МОП-транзистор N-канальный 600 В, 0,55 Ом, тип 7,5 А
STFH10N60M2 МОП-транзистор N-канальный 600 В, 0,55 Ом, тип 7,5 А
188.80 ₴
STW12NK90Z MOSFET силовой транзистор: N-канал, 900 В, 11 А, 880 мОм
STW12NK90Z MOSFET силовой транзистор: N-канал, 900 В, 11 А, 880 мОм
233.80 ₴
SI2392ADS-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3,1А, Idm: 8А, 1,6Вт, SOT23
SI2392ADS-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3,1А, Idm: 8А, 1,6Вт, SOT23
137.50 ₴
VN750PT-E МОП-транзистор высокой стороны, 5.5В-36В питание, 6А пиковый выход, 0.06Ом выход
VN750PT-E МОП-транзистор высокой стороны, 5.5В-36В питание, 6А пиковый выход, 0.06Ом выход
346.30 ₴
IRFR13N15DPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.18 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR13N15DPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.18 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
206.30 ₴
FZT949TA SMD/SMT,PNP,Ic: 140mV @ 20mA, 1A.Ток коллектора (макс): 5.5A. Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A,
FZT949TA SMD/SMT,PNP,Ic: 140mV @ 20mA, 1A.Ток коллектора (макс): 5.5A. Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A,
140 ₴
IRFS11N50APBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 44 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
IRFS11N50APBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 44 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
435 ₴
MJE13009 Биполярный транзистор - TO-220AB, Тип: NPN, UКЭ(макс): 400 В, IК(макс): 12 А, Pрасс: 100 Вт, Fгран: 4 МГц, h21: 6...30
MJE13009 Биполярный транзистор - TO-220AB, Тип: NPN, UКЭ(макс): 400 В, IК(макс): 12 А, Pрасс: 100 Вт, Fгран: 4 МГц, h21: 6...30
310 ₴
FQPF6N90C MOSFET транзистор - TO-220FP, Тип: N, Uси: 900 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 2.3 Ом
FQPF6N90C MOSFET транзистор - TO-220FP, Тип: N, Uси: 900 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 2.3 Ом
257.50 ₴
STGB18N40LZT4 IGBT 425V 40A 200W
STGB18N40LZT4 IGBT 425V 40A 200W
346.30 ₴