Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 2N3906

В наличии
10+ купили
3.50 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 150 ₴
Продавец ФЛП Коротенко В.Н.
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Транзистор 2N3906 - фото 1 - id-p1781150311

Характеристики и описание

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 40В

Максимальный ток - 200мА

Тип корпуса ТО-92

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
ФЛП Коротенко В.Н.
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

SGT40U120FD1P7 IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25℃, TO247
SGT40U120FD1P7 IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25℃, TO247
271.30 ₴
IRFI530NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.11 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFI530NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.11 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
137.50 ₴
IHW15N120E1 IGBT транзистор, 30 А, 1.5 В, 156 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
IHW15N120E1 IGBT транзистор, 30 А, 1.5 В, 156 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
372.50 ₴
RSS065N06FRATB Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 6.5 А, 0.024 Ом
RSS065N06FRATB Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 6.5 А, 0.024 Ом
146.30 ₴
SPW47N60C3 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 47 А, 70 мОм
SPW47N60C3 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 47 А, 70 мОм
400 ₴
AOTF10B60D Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
AOTF10B60D Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
122.50 ₴
2SK537
2SK537
143.80 ₴
STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - DPAKР: Тип: N: Uси: 900 В: Iс(25°C): 2,1 А: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 19,5
STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - DPAKР: Тип: N: Uси: 900 В: Iс(25°C): 2,1 А: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 19,5
126.30 ₴
IRF630NSPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 9.5 А, 300 мОм
IRF630NSPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 9.5 А, 300 мОм
250 ₴
STW21NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
STW21NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
260 ₴
STGP19NC60HD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A, 600 В.
STGP19NC60HD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A, 600 В.
350 ₴
FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
266.30 ₴
IKW40N65H5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
IKW40N65H5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
392.50 ₴
KSD880YTU Биполярные транзисторы - BJT NPN эпитаксиальный Sil
KSD880YTU Биполярные транзисторы - BJT NPN эпитаксиальный Sil
242.50 ₴