Чип RJP63K2 TO-263, Транзистор IGBT 630В 35А, Напряжение база-эмиттер 30В, Рассеивание 25Вт

Биполярный транзистор RJP63K2 в корпусе TO263 — это надежный компонент, который обеспечит высокую эффективность и стабильность работы в ваших схемах. С данными характеристиками, такими как напряжение коллектор-эмиттер до 630 В и ток коллектора до 35 А, он подходит для разнообразных приложений в области электроники и энергетики.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 630 В
• Ток коллектора: 35 А
• Напряжение база-эмиттер: 30 В
• Рассеивание коллектора: 25 Вт
• Тип корпуса: TO263

• Гарантийный срок: 30 дней
• Страна-производитель: Китай

Рассмотрим сценарии использования транзистора RJP63K2. Например, вы можете использовать его в импульсных источниках питания, где требуется высокая надежность и эффективность при преобразовании напряжения. Также данный транзистор станет отличным решением для управления мощными нагрузками в автоматизированных системах управления.

Приобретая транзистор RJP63K2 в нашем интернет-магазине, вы можете быть уверены в качестве и надежности продукта. Мы предлагаем удобную доставку и конкурентоспособные цены, а отзывы клиентов подтверждают высокий уровень нашего сервиса.