Prom – найбільший маркетплейс України

2Т825А

Код: 17
В наличии
10+ купили
250 ₴
Продавец Малюшко
98%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
2Т825А - фото 1 - id-p1687594660

Характеристики и описание

2Т825А  

Есть и другие.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Малюшко
98% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

CSD18511KCS МОП-транзистор 40V, 194A, 188W
CSD18511KCS МОП-транзистор 40V, 194A, 188W
260 ₴
IRL1404PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 160 А: Rси(вкл): 4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRL1404PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 160 А: Rси(вкл): 4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
332.50 ₴
IPA80R1K0CEXKSA2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,6А, Idm: 18А, 32Вт, TO220FP
IPA80R1K0CEXKSA2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,6А, Idm: 18А, 32Вт, TO220FP
348.80 ₴
NCE25TD120LT Транзистор IGBT + Diode TO-247 1200V 25A
NCE25TD120LT Транзистор IGBT + Diode TO-247 1200V 25A
228.80 ₴
SGB15N60HS 30-100 kHz Package D2PAK (TO-263) V CE (max) 600.0 V I C(max) @ 25℃ 27.0 A I C(max) @ 100℃ 15.0 A
SGB15N60HS 30-100 kHz Package D2PAK (TO-263) V CE (max) 600.0 V I C(max) @ 25℃ 27.0 A I C(max) @ 100℃ 15.0 A
220 ₴
STF11NM50N Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 8.5 А, 0.4 Ом
STF11NM50N Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 8.5 А, 0.4 Ом
182.50 ₴
BUZ90 Транзистор полевой MOSFET, N, 75 Вт, 600 В, 4.5 А, 1.6 Ом
BUZ90 Транзистор полевой MOSFET, N, 75 Вт, 600 В, 4.5 А, 1.6 Ом
356.30 ₴
2SD1453
2SD1453
152.50 ₴
MJ2955 Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -60 В, 800 кГц, 115 Вт, -15 А, 20 hFE
MJ2955 Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -60 В, 800 кГц, 115 Вт, -15 А, 20 hFE
375 ₴
STGP19NC60HD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A, 600 В.
STGP19NC60HD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A, 600 В.
350 ₴
2SD1667
2SD1667
192.50 ₴
IRFP4229PBF MOSFET транзистор: N-канал, 250 В, 44 А
IRFP4229PBF MOSFET транзистор: N-канал, 250 В, 44 А
273.80 ₴
IRFZ44ZPBF MOSFET силовой транзистор: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 51 А: Rси(вкл): 13.9 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
IRFZ44ZPBF MOSFET силовой транзистор: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 51 А: Rси(вкл): 13.9 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
133.80 ₴
CSD19536KTT MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
CSD19536KTT MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
402.50 ₴