Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор биполярный BC807W,115 Nexperia

Код: 7779
Готово к отправке
10+ купили
1.20 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 300 ₴
Продавец Філур Електрик ЛТД
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA383003350000000026009208726
Транзистор биполярный BC807W,115 Nexperia - фото 1 - id-p1667080400

Характеристики и описание

Транз. Бипол. ММ PNP SOT323 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,2W; hfe=100/600 BC807W,115.pdf

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Філур Електрик ЛТД
Філур Електрик ЛТД
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IGW40T120 Транзистор: IGBT, 1200В, 40А, 483Вт,
IGW40T120 Транзистор: IGBT, 1200В, 40А, 483Вт,
1 335 ₴
Транзистор 2SA1943-O
Транзистор 2SA1943-O
291.48 ₴
364.35 ₴
STGW28IH125DF Транзистор: IGBT, 1,25кВ, 30А, 375Вт, TO247-3
STGW28IH125DF Транзистор: IGBT, 1,25кВ, 30А, 375Вт, TO247-3
626.30 ₴
IRFP31N50LPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 31 А: Rси(вкл): 0.18 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFP31N50LPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 31 А: Rси(вкл): 0.18 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
577.50 ₴
STP20NM60FP MOSFET силовой транзистор - TO-220-3-FP, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 20 А, Rси(вкл): 0.29 Ом, @Uзатв(ном): 10 В,
STP20NM60FP MOSFET силовой транзистор - TO-220-3-FP, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 20 А, Rси(вкл): 0.29 Ом, @Uзатв(ном): 10 В,
786.30 ₴
SKW25N120 Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 25А, 313Вт, TO247-3
SKW25N120 Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 25А, 313Вт, TO247-3
1 317.50 ₴
AOK40B60D1 Транзистор: IGBT: 600В: 40А: 111Вт: TO247: Eвыкл: 0,3мДж
AOK40B60D1 Транзистор: IGBT: 600В: 40А: 111Вт: TO247: Eвыкл: 0,3мДж
636.30 ₴
2SC3858 SANKEN High Power Audio Transistor, x10
2SC3858 SANKEN High Power Audio Transistor, x10
911.30 ₴
IRF1018EPBF МОП-транзистор, N Канал, 79 А, 60 В, 0.0071 Ом, 10 В, 4 В
IRF1018EPBF МОП-транзистор, N Канал, 79 А, 60 В, 0.0071 Ом, 10 В, 4 В
133.80 ₴
AO4407A-UMW Полевой МОП-транзистор (MOSFET) с P-каналом, напряжение 30 В, ток 14 А, рассеиваемая мощность 3,1 Вт, для
AO4407A-UMW Полевой МОП-транзистор (MOSFET) с P-каналом, напряжение 30 В, ток 14 А, рассеиваемая мощность 3,1 Вт, для
17.50 ₴
IKW40T120 IGBT транзистор, универсальный, 75 А, 2.3 В, 270 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
IKW40T120 IGBT транзистор, универсальный, 75 А, 2.3 В, 270 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
1 413.80 ₴
2SC4891 SAN
2SC4891 SAN
745 ₴
NCE3080K MOSFET, N, 83 W, 0.0065 Ohm
NCE3080K MOSFET, N, 83 W, 0.0065 Ohm
16.30 ₴
IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
862.50 ₴