Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 2т630б

Код: 2373
В наличии
10+ купили
292 ₴
Продавец Радио-ок
95%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
Транзистор 2т630б - фото 1 - id-p1588210074

Характеристики и описание

транзистор 2т630б, золото

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Радио-ок
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

BF961 РЧ МОП-транзисторы
BF961 РЧ МОП-транзисторы
265 ₴
IRL3803PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 120 А: Rси(вкл): 6...9 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10
IRL3803PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 120 А: Rси(вкл): 6...9 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10
160 ₴
STD18N55M5 MOSFET силовой транзистор - TO-252-2, Тип: N, Uси: 550 В, Iс(25°C): 13 А, Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом.
STD18N55M5 MOSFET силовой транзистор - TO-252-2, Тип: N, Uси: 550 В, Iс(25°C): 13 А, Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом.
188.80 ₴
2SC5198 Транзистор биполярный, NPN, 100 Вт, Ucb: 140 В, Uce: 140 В, 10 А, 30 МГц
2SC5198 Транзистор биполярный, NPN, 100 Вт, Ucb: 140 В, Uce: 140 В, 10 А, 30 МГц
147.50 ₴
SI4946BEY-E3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60 В, 6,5 А, 3,7 Вт, SO8
SI4946BEY-E3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60 В, 6,5 А, 3,7 Вт, SO8
213.80 ₴
STP10NK80Z MOSFET силовой транзистор — [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 9 А: Rси(вкл): 0.9 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
STP10NK80Z MOSFET силовой транзистор — [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 9 А: Rси(вкл): 0.9 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
275 ₴
SP20M65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 3V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
SP20M65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 3V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
341.30 ₴
CRG40T60AN3S 280 W 40A 650V TO-3PN IGBT Transistors
CRG40T60AN3S 280 W 40A 650V TO-3PN IGBT Transistors
195 ₴
CRG50T65AK5HD IGBT 650V 60A 268W Through Hole TO-247
CRG50T65AK5HD IGBT 650V 60A 268W Through Hole TO-247
237.50 ₴
IRG4IBC20UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 11.4 А: Iк@100°C: 6 А: Uкэ.нас: 1.85 В: tнар: 15 нс:
IRG4IBC20UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 11.4 А: Iк@100°C: 6 А: Uкэ.нас: 1.85 В: tнар: 15 нс:
338.80 ₴
NCEP026N10T MOSFET, N -Channel, 300 W, 100 V, 230 A, TO-247
NCEP026N10T MOSFET, N -Channel, 300 W, 100 V, 230 A, TO-247
273.80 ₴
NGTB15N120IHLWG IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 кВ , 15 А , Uкэ.нас : 1.8 В
NGTB15N120IHLWG IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 кВ , 15 А , Uкэ.нас : 1.8 В
242.50 ₴
TPHR8504PL,L1Q 40V 150A 0.85mΩ@10V,50A 2.4V 1 N-channel SOP-8 MOSFETs
TPHR8504PL,L1Q 40V 150A 0.85mΩ@10V,50A 2.4V 1 N-channel SOP-8 MOSFETs
160 ₴
IRF5210PBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
IRF5210PBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
131.30 ₴