Prom – найбільший маркетплейс України

2N5551, транзистор, n-p-n.

5.0 (1)
30+ купили
В наличии
2 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 100 ₴
Продавец sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
2N5551, транзистор, n-p-n. - фото 1 - id-p1579607498

Характеристики и описание

Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер160 В
Максимально допустимый ток коллектора0.6 А

2N5551, транзистор, n-p-n.

Фото реальное.

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (1)
  • Вопросы (0)
  • 29.09.2026
    Дмитро Р.
     Куплено на Prom.ua
Был online: Сегодня
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

STP140N8F7 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 90 А, 0.0035 Ом
STP140N8F7 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 90 А, 0.0035 Ом
501.30 ₴
IGW50N60H3 БТИЗ транзистор, 50 А, 2.3 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
IGW50N60H3 БТИЗ транзистор, 50 А, 2.3 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
683.80 ₴
STW21N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
STW21N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
727.50 ₴
STB11NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор — [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STB11NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор — [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
560 ₴
Транзистор FIR120N055P, 55V, 120A, TO-220
Транзистор FIR120N055P, 55V, 120A, TO-220
100 ₴
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
1 571.30 ₴
IRLR7843TR(UMW) N-канальный MOSFET, 30 В, 161 А, 140 Вт, поверхностный монтаж (SMD), корпус TO-25.
IRLR7843TR(UMW) N-канальный MOSFET, 30 В, 161 А, 140 Вт, поверхностный монтаж (SMD), корпус TO-25.
37.50 ₴
NCE1540KA N-Channel 150V 40A 140W Surface Mount TO-252-2L
NCE1540KA N-Channel 150V 40A 140W Surface Mount TO-252-2L
66.30 ₴
SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
661.30 ₴
IRG4PC50UDPBF 600V 55A 200W
IRG4PC50UDPBF 600V 55A 200W
615 ₴
FGAF40N60SMD IGBT транзистор, 80 А, 1.9 В, 115 Вт, 600 В
FGAF40N60SMD IGBT транзистор, 80 А, 1.9 В, 115 Вт, 600 В
1 037.50 ₴
TTC0002(Q) Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 18А, 180Вт, TO3PL
TTC0002(Q) Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 18А, 180Вт, TO3PL
887.50 ₴
FCPF360N65S3R0L-VB N-канальный, 650 В, 13 А, 310 Вт, TO-220F
FCPF360N65S3R0L-VB N-канальный, 650 В, 13 А, 310 Вт, TO-220F
205 ₴
FMH07N90E N-MOSFET, 145 W, 900 V, 7 A, 2 Ohm, TO-3P-Q
FMH07N90E N-MOSFET, 145 W, 900 V, 7 A, 2 Ohm, TO-3P-Q
381.30 ₴